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PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区严密触摸所构成的，由于N型区内自在为多子，空穴简直为零称为少子，而P型区内空穴为多子，自在电子为少子，在它们的接壤处就呈现了电子和空穴的浓度差。
由于自在电子和空穴浓度差的原因，从而在中心构成了一个空间电荷区。在空间电荷区构成后，由于正负电荷之间的相互效果，在空间电荷区构成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显着，这个电场的方向与载流子分散运动的方向相反，阻挠分散。
这时，P区一边失掉空穴，留下了带负电的杂质离子；N区一边失掉电子，留下了带正电的杂质离子，那怎么样才能够消除呢？
此刻N型区域的电子被吸引到正电极，而p型区域的空穴则被吸引到负电极。因此，在中心部位就构成了好像厚厚的墙面样的区域，断绝了电子的补给。此中心部分的厚壁称为耗尽层。在此状况下,因加载的电压不能使电流流转，所以称为反向电压。
将P型半导体连接到正电极，则耗尽层的起伏变窄,P型区域内的空穴跳过PN结移动到N型区域,N型区域内的电子则移动到P型区域。
构成这样的状况后，只需略微加大电压就能够使非常大的电流流转。加载的这种电压叫做正向电压。
可见,PN结器材具有整流效果。可是加载反向电压时，仍有微乎其微的电流流转。这是由于存在因热能而穿透耗尽层的注入载流子。这是因热能而引起的电流，与外加电压无关（在反向电场下，分配电流是热能）。
另一方面，加载正向电压时，流入的空穴、电子数量与电压呈指数增加联系,电流变得很大。因此体现出显着的整流效果。所谓整流效果是指由外部加载电压的极性操控电流流转或不流转的性质。而具有整流效果的具有两个端子的半导体元件称为二极管。
图所示的整流特性只能粗略地表明其倾向。假如加大反向电压到必定数值时,电流会忽然增大,这种现象称为击穿,此刻的电压叫做齐纳电压。
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 修改 学习
结构，也是两种重要的二极管。从结构和导电机理上来说，它们有许多共同点，可是也存在不少的差异。l 相同点：（1）都存在空间电荷区和势垒区，则都有势垒电容
地道效应制造地道二极管；使用结电容随外电压改变效应制造变容二极管。使半导体的光电效应与
邻近,其间的载流子因分散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的效果下,空穴是能移动的,而电离
的构成(1)载流子的分散运动用掺杂工艺在一块完好半导体中，一部分构成P型半导体，另一部分构成N 型半导体。那么，在两种杂质型半导体接壤处两边，P区的空穴（多子）浓度远 大于N区的空穴
×10–19c）。在常温下，vt≈26mv。e——自然对数的底is——反向饱和电流，关于分立
的界说，首要咱们看下来自于的内容：选用不一样的掺杂工艺，经过分散效果，将P型半导体与N型半导体制造在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的接壤
是半导体内部n型和p型半导体资料之间的界面或鸿沟。固态电子学的要害之一是P-N
之一，其特性是仅在一个方向上经过电流。经过施加负电压（反向偏置）导致自在电荷从
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